原位芯片氮化硅薄膜窗口

原位芯片提供电镜设备观测使用的氮化硅薄膜窗口，可用于TEM、SEM、X-Ray电镜实验使用。苏州原位芯片氮化硅薄膜窗口具有高洁净度，高X-射线透射性，低应力，高强度且膜厚均匀一致的特性，适用于高温(～1000℃)实验以及不同压力环境的测试。目前我们的产品已被全球范围内的科研人员广泛认可且用于其生物、材料、物理、化学等方面的研究。

氮化硅膜(Silicon nitridc film)是指硅氮化合物的薄膜，常用作微电子技术电绝缘层。化学计量比的氮化硅由正方氮化硅晶胞组成，多余的硅原子在其中排列成六方结构。化学计量比的氮化硅由正方氮化硅晶胞组成，多余的硅原子在其中排列成六方结构。氮化硅低温相的点阵常数为a=0.758nm，c=0.5623nm。它的介电常数高达6-7，击穿场强1x107V·cm。可用化学气相沉积和溅射法制备。

通常采用等离子体化学气相沉积（PCVD)制备，沉积温度低于300℃。这样得到的氮化硅膜(P-SiN)中通常含有大量氢(约2x1022cm)，Si /N比在0.8-1.0范围，这对于性能有明显的影响，因此要求严格控制工艺参数。P-Si N用作绝缘层的优点是沉积温度低、阶梯覆盖性好、耐水和碱离子作用、机械强度大、粘着性好、内应力低于氮化硅膜、可制成厚膜而不开裂。

由于氮化硅具有高硬度(块体硬度HV17.2GPa)和优良的化学稳定性，它是很受重视的耐磨抗蚀膜。但由于膨胀系数低，当沉积在金属基材上时，产生较大的界面应力，对基体附着差。