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原位芯片提供的氮化硅薄膜窗口优点

发布时间:2021-05-28 07:15:07

原位芯片提供的氮化硅薄膜窗口可用于TEM应用的超凭证、低应力和高洁净的支撑膜。也称为TEM氮化硅薄膜窗口窗口,适用于这些应用:纳米粒子的 TEM和STEM的成像、定量碳分析、支持膜上的化学实验、实时化学反应和晶体生长研究、薄膜研究、膜上细胞生长和多显微镜研究技术。

 

氮化硅薄膜窗口具有化学惰性和机械坚固性的优点,能够承受> 1000°C 的温度。与标准碳支撑膜相比,它们具有更高的强度、耐化学性,并提供无碳、低背景TEM支撑膜。我们的膜窗可以进行强力等离子清洗以去除有机污染物。

同步辐射氮化硅薄膜窗口 原位芯片.jpg氮化硅薄膜窗口 同步辐射 原位芯片2.jpg同步辐射氮化硅薄膜窗口 原位芯片 (1).jpg

原位芯片使用最先进的 MEMS 技术在完全洁净室条件下制造氮化硅膜,以生产无碎屑、清洁和高度凭证的膜。使用原位芯片提供的氮化硅薄膜窗口的优点:

·无定形、低背景、低散射材料

·对酸、碱和溶剂具有高耐受性

·耐高温>1000°C

·无碳

·可等离子清洗

·没有网格条的大可视区域

·清洁、超平坦的膜表面

·优化膜应力以实现强度和高平面度

·对多显微镜技术的理想支持,例如 TEM、SEM、FIB、EDX、Auger、XPS 和 AFM/SPM


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