TEM氮化硅薄膜窗口_TEM氮化硅薄膜窗口|电镜载网|氮化硅膜窗格

TEM氮化硅薄膜窗口

TEM氮化硅膜单窗口和多窗口产品主要用于TEM（透射电镜）样品杆的支持载网，实现生物或材料样品在电镜下的高分辨表征。也可作为生物细胞的载体，应用于TEM（透射电子电镜）、SEM（扫描电子电镜）、AFM（原子力显微镜镜）、拉曼光谱仪和XRD（X射线衍射）等设备。

微孔窗口由先进的MEMS工艺制造，可实现纳米管、二维材料和其他纳米样品的无衬底观测，相对于微栅碳膜，微孔氮化硅薄膜表面更加洁净，微孔更加均匀，十分适合生物或材料样品的高分辨表征。

型号介绍购买链接使用操作说明定制服务

产品特点

氮化硅薄膜主要采用半导体工艺中的化学气相沉积、光刻、刻蚀等工艺在半导体加工超净间完成。
成熟的半导体工艺以及加工过程中的超洁净环境，使氮化硅薄膜具有其他支持膜不可比拟的性能优势:

电子束透过性高

薄膜厚度最小可至10nm，氮化硅薄膜材料对电子束吸收少;

表面超平整

表面粗糙度＜0.5nm；窗口大面积扫描时；可减少重新聚焦频率;

耐温特性

最高可耐受800℃高温;

化学稳定性佳

薄膜耐酸碱腐蚀；电子束作用下，对多数化学物质抗性强;

应用范围广

薄膜区域无其他结构，可实现避Cu、避C观测;

产品质量保证

光镜下逐片检验，严格把控薄膜质量;

产品型号

微孔氮化硅膜：

产品编码
氮化硅膜厚(nm)
窗口尺寸(mm)
微孔直径(μm)
阵列(个)
孔心间距(μm)
外框尺寸(mm)
衬底厚度(μm)
立即购买

ME050B
30
0.5x0.5
2.8
45x45
10
3x3
200

ME050C
50
0.5x0.5
2
45x45
10
3x3
200

ME050C10
50
0.5x0.5
10
32x32
15
3x3
200

ME050E05
200
0.5x0.5
5
49x49
10
3x3
200

每盒包含10枚芯片

多窗口氮化硅膜：

产品编码
氮化硅膜厚(nm)
窗口尺寸(mm)
窗口数量(个)
窗口间距(mm)
外框尺寸(mm)
衬底厚度(μm)
立即购买

AR010Z
10
0.1x0.1
9
0.45
3x3
200

AR010A
15
0.1x0.1
9
0.45
3x3
200

AR010B
30
0.1x0.1
9
0.45
3x3
200

AR010C
50
0.1x0.1
9
0.45
3x3
200

TA015A
15
0.1x1.5
2
0.45
3x3
200

TA015C
50
0.1x1.5
2
0.45
3x3
200

TA015A-100
15
0.1x1.5
2
0.45
3x3
100

TA015C-100
50
0.1x1.5
2
0.45
3x3
100

每盒包含10枚芯片

单窗口氮化硅膜：

产品编码
氮化硅膜厚(nm)
窗口尺寸(mm)
外框尺寸(mm)
衬底厚度(μm)
立即购买

SG010Z
10
0.10x0.10
3x3
200

SG015Z
10
0.15x0.15
3x3
200

SG025Z
10
0.25x0.25
3x3
200

SG050Z
10
0.50x0.50
3x3
200

SG005A
15
0.05X0.05
3x3
200

SG025A
15
0.25x0.25
3x3
200

SG050A
15
0.5x0.5
3x3
200

SG100A
15
1x1
3x3
200

SG001AT
20
0.01x0.01
3x3
200

SG050AT
20
0.5X0.5
3x3
200

SG025B
30
0.25x0.25
3x3
200

SG050B
30
0.5x0.5
3x3
200

SG100B
30
1x1
3x3
200

SG010C
50
0.1x0.1
3x3
200

SG025C
50
0.25x0.25
3x3
200

SG050C
50
0.5x0.5
3x3
200

SG100C
50
1x1
3x3
200

SG025D
100
0.25x0.25
3x3
200

SG050D
100
0.5x0.5
3x3
200

SG010E
200
0.1x0.1
3x3
200

SG025E
200
0.25x0.25
3x3
200

SG050E
200
0.5x0.5
3x3
200

SG010B-100
30
0.1X0.1
3x3
100

每盒包含10枚芯片

氮化硅膜结构示意图和参数表

外框项目
参数
外框项目
参数

材料
N/P型硅片
电阻率
1~10Ω*cm

氮化硅膜参数
参数
氮化硅膜参数
参数

材料
LPCVD 氮化硅薄膜
应力
<250MPa

介电常数
6-7
介电强度
10（10⁶V/cm）

电阻率
10¹⁶Ω*cm）
粗糙度（Ra)
0.28±5%nm

折射率@630nm
2.15-2.17
粗糙度(Rms)
0.40±5%nm

友情链接：原位芯片主网站原位芯片博客原位芯片知乎 MEMS代工

产品中心

苏州原位芯片科技有限责任公司

	电话：0512-67266051
	邮箱： sales-sin@ywmems.com
	地址：江苏省苏州市工业园区酝慧路168号星洲大厦301